在人工智能芯片竞争白热化的当下，一块不足1毫米的玻璃板，引发了英伟达等行业巨头的激烈角逐。
随着摩尔定律在芯片制造层面逼近极限，行业将目光投向封装领域，期望在ASIC封装中集成更多芯片。传统的ASIC封装通常使用有机基板，但在高密度、大尺寸封装的场景下，基板翘曲问题凸显，限制了芯片集成数量。相比之下，玻璃基板在物理特性上优势显著，被视为推动下一代高密度封装的“理想之选”。
据MRC数据，2023年全球玻璃基板市场空间为75.1亿美元，2030年有望达到109.2亿美元，CAGR为 5.5%。另据Prismark，三星、英伟达、台积电、SK等行业巨头的入局，将加速玻璃基板对硅基板的替代进程，预计3年内渗透率可达30%，5年内将超过50%。
目前，玻璃通孔技术（TGV）是玻璃基板封装实现突破的主要难点。在高频应用场景中，TGV表现出比有机材料更低的损耗，能有效提高信号传输质量。但TGV目前仍面临诸多困难与挑战，如何制备高深宽比、窄节距、高垂直度且成本可控的玻璃微孔，成为行业攻关的重点。
在此背景下，第二届国际玻璃通孔技术创新与应用论坛（iTGV 2025）于6月26日在深圳召开。
作为全球玻璃基板领域规模最大、影响力最广的盛会，本次论坛汇聚了来自半导体、光电、材料、封装、人工智能等行业的顶尖专家、科研学者及产业领袖。围绕“打造玻璃基板供应链”这一核心议题，与会嘉宾分享了前沿技术成果，共同探讨了打通产业链上下游的协同路径，推动构建更为完善的全球技术与商业生态体系，打造引领2030年封装演进的重要引擎。会场内座无虚席，还有不少参会者在过道驻足聆听。
沃格光电（603773.SH）旗下子公司通格微与北极雄芯的签约仪式将论坛气氛推向高潮。双方将合作推进异构芯粒（Chiplet）与玻璃基板的高集成AI计算芯片开发。
通格微在玻璃基巨量通孔（TGV）等核心技术上具备国际领先优势，与北极雄芯在Chiplet领域的领先地位形成了强有力的互补。本次合作将为玻璃基在Chiplet芯片封装等领域的大规模商用化开辟道路，从而进一步提升我国半导体先进封装竞争力，推动国产芯片产业“换道突围”。
破解TGV瓶颈，以市场为导向铸就技术护城河
“TGV是一个全新的工艺和方向，我曾在去年的论坛上说‘一个新的工艺或者一个新的技术诞生，需要人们持之以恒、耐得住寂寞，不知道明年还能看到多少同行在这里。’今天我非常欣喜地看到仍有这么多同行相聚在此，说明行业在进步，这是让我感到非常幸福的。”通格微半导体SBU总经理魏炳义对金融界说。
回顾通格微的发展历程，可以清晰发现，其前进的步伐始终紧扣市场需求与行业发展的痛点。
正如前文所述，玻璃基板产业化落地的核心障碍就在于TGV工艺的可靠性。玻璃基板在通孔、金属化过程中容易出现铜附着力不足、微裂纹扩散、孔内填充空洞等缺陷，直接影响到封装器件的良率和寿命。
针对以上难题，通格微研发团队通过持续的材料改性、工艺参数优化和设备自主开发三大路径，实现了关键突破。
通格微的背后是成立于2009年的沃格光电集团，经过16年的自主创新研发，沃格光电已绘就玻璃基线路板的完整技术蓝图，是全球目前极少数拥有全制程工艺能力和制备装备的公司。
凭借深厚的技术与经验积累，沃格光电解决了玻璃基板通孔过程中出现的诸多难题，显著提升了封装良率和产品寿命。其TGV技术可实现深径比150:1，支持10微米铜厚和高达四层的线路堆叠，满足高密度互连需求。其技术优势正在人工智能、5G、车载等高增长领域持续兑现。
首创“全玻璃多层互联叠层架构”，引领AI芯片新航向
近一年来，通格微与北极雄芯基于玻璃介质在多颗芯粒系统级封装方面开展了多套结构设计，包括算力芯片+EMIB硅桥嵌入的玻璃基封装方案等。双方顺利完成了基于多层玻璃堆叠芯片的设计、测试及仿真工作，并在工艺方案上取得重大进展。
此次通格微与北极雄芯的合作，正是致力于将设计方案落地到产品层面——双方将基于异构芯粒与玻璃基板的高集成AI计算芯片的专项产品进行开发，推进量产进程。
北极雄芯由清华大学交叉信息研究院孵化，是国内领先的Chiplet芯片设计企业，其拥有“神经网络处理器（NPU）+Chiplet+算法”三大核心技术，已成功自主研发“QIming910”“QIming920”等多款NPU，以及“QIming930”AI芯片。该公司于今年推出的QIming935系列芯片是国内首个取得车规认证的Chiplet产品。
据北极雄芯总经理伍毅夫介绍，公司的芯片产品主要采用ABF材料和BT材料进行封装，由于ABF的线宽/线距最小只能做到15μm左右，导致芯片的互联密度受限，不得不增大封装尺寸。然而，封装尺寸变大后，基板翘曲问题较为严重。同时，高速接口互联的方式对ABF材料要求较高，使得整体成本高昂。
正是这一研发痛点推动了两家行业领先企业的合作。
“与沃格一起研发多层玻璃堆叠方案，具有多重优势。首先，能够摆脱对高性能ABF材料的依赖，有效降低成本。其次，通过高密度TGV实现层间互连，可以获取超高的互连密度与微缩能力。此外，纯玻璃基板封装没有有机材料，高频信号损耗显著降低，玻璃的CTE与晶片相近，能够兼顾高频性能与热稳定性。”伍毅夫表示。
据了解，“全玻璃多层互联叠层架构方案”既是行业首创，也是一次高难度的技术突破。与行业现有方案相比，“全玻璃多层互联叠层方案”实现了芯片性能和封装成本的双重优化，将为高集成AI计算芯片的研发与生产带来突破性机遇和进展。
魏炳义透露，通格微已联合多家科研院所与行业伙伴，开展全玻璃多层互联叠构载板技术协同攻关，重点突破玻璃基键合工艺。
拓宽TGV应用边界，开辟多元行业生态
“TGV工艺并不像外界认知的那样，只局限于半导体行业。”魏炳义说，“所以，作为TGV工艺探索的先行者，通格微有义务将该项工艺推广到各行各业。”
除先进封装外，通格微的TGV工艺目前已在五大领域取得突破：
一是射频天线，公司与行业头部企业合作开发的下一代6G射频天线相关产品已进入快速落地阶段；二是光电共封装（CPO），公司正在与国内知名企业联合开发，推动加快1.6T以上光模块应用；三是新型显示领域，公司与海外大客户的合作已取得可喜成果，预计将在今年下半年实现量产。四是在微流控领域，公司与美国一家企业进行合作，预计也将在下半年实现量产；五是集成无源器件，玻璃基板具备高绝缘性、低介电损耗和良好的加工性能，能够有效提升集成无源器件的集成度和性能。
魏炳义透露，公司正在航空航天领域展开相关产品应用的探索。
从沃格光电的整体布局来看，公司的玻璃基技术与产业化布局正呈现“双轮驱动”的局面。
在显示领域，子公司江西德虹年产100万平方米的玻璃基背光板产线进入全面量产阶段，采用沃格玻璃基Mini LED背光方案的海信大圣G9自今年4月上市后持续领跑高端显示器市场，验证了技术商业化能力，宣告着玻璃基产业化元年的到来，该项技术未来还有望持续渗透至TV、笔电、车载等产品，由此产生更多的产品应用和订单。
在半导体领域，通格微TGV玻璃基载板一期年产10万平米项目经过半年多的试产运行，已进入小批量供货阶段。公司还在持续与行业龙头企业攻克标准化与规模化生产的最后障碍。
破局高端基板，沃格引领国产芯“换道突围”
在全球芯片产业激烈角逐新一代技术制高点的背景下，玻璃基已成为各国争夺的战略高地，它不仅被定义为“未来产业”，更被视为中国实现芯片自主可控的“拳头产业”。
当前，全球约90%的高端基板市场被美日韩巨头垄断，而玻璃基技术的崛起，成功绕开了长期制约我国产业发展的ABF载板等“卡脖子”环节，为我国芯片产业突破工艺壁垒、实现超大算力，并在多芯片系统封装领域拉平与国际领先水准的差距创造了先机。
沃格光电正是这条创新赛道上的先行者与示范者。公司依托深厚的技术积累和强大的研发实力，持续推动其在Mini/Micro LED显示以及半导体大算力芯片先进封装领域的产品与技术迭代。其战略核心已从早期的“性能追赶”转向实现“成本与可靠性超越”。这一质的飞跃，不仅为产业链上下游的升级提供了强大支撑，更为国家芯片供应链安全构筑了关键基石。
结语
随着全球半导体产业加速向先进封装领域迈进，沃格光电凭借在玻璃基板核心技术上的深厚积淀，正迎来前所未有的战略机遇期。
根据Yole预测，2025年全球先进封装市场规模将达到571亿美元，到2028年进一步增长至786亿美元，年复合增长率(CAGR)维持在10%左右。
公司以自主可控的TGV技术为支点，成功突破传统封装材料的物理局限，在AI大算力芯片、高速通信、智能驾驶等前沿领域打开全新增长空间。其与北极雄芯深度协同，推动全玻璃基多层互联AI芯片实现从实验室走向产业化的重要跨越，为国产高集成AI计算芯片提供了关键解决方案。
沃格光电的创新价值不仅体现在技术工艺的持续精进，更在于其开创性地将玻璃基板应用延伸至射频天线、光电共封装、Mini LED显示等多元领域，展现出强大的跨界融合与市场拓展潜力。
展望未来，沃格光电的发展路径清晰可见：产能的逐步释放将推动规模化量产与成本优势加速兑现。同时，公司通过深化产业链开放合作，正从技术供应商向更具影响力的产业角色跃迁。
玻璃基板已不仅是芯片互连的物理介质，更是中国半导体产业实现价值跃升的重要载体。其技术路线所指向的，是一个打破传统边界、重塑产业格局的未来——在那里，中国半导体企业不再追随既有规则，而是以自主定义的技术标准参与全球竞争。
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